乙酰丙酮銦
| 乙酰丙酮銦[1] | |
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3.png)
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| IUPAC名 (Z)-4-bis[(Z)-1-methyl-3-oxobut-1-enoxy]indiganyloxypent-3-en-2-one | |
| 識別 | |
| CAS號 | 14405-45-9  [SciFinder]
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| PubChem | 16687813 |
| SMILES |
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| 性質 | |
| 化學式 | C15H21InO6 |
| 摩爾質量 | 412.14 g·mol−1 |
| 外觀 | 白色或灰白色固體 |
| 危險性 | |
| 歐盟分類 |  Xn
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| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
乙酰丙酮銦是銦的乙酰丙酮配合物，化學式為In(C5H7O2)3，或簡寫為In(acac)3。
用途[編輯]
乙酰丙酮銦和乙酰丙酮亞錫可以用常壓化學氣相沉積法製備氧化銦錫薄膜。得到的薄膜是透明的和導電的，厚度約為200 nm。[2]銅銦鎵二硒化物（CIGS）也可以乙酰丙酮銦為原料製備出來。用In(acac)3和硫化氫反應，通過原子層化學氣相沉積（ALCVD），可以合成薄膜CIGS太陽能電池。[3]
參考文獻[編輯]
- ^ Indium acetylacetonate （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館） at American Elements
- ^ "Indium‐tin oxide thin films prepared by chemical vapor deposition". [2017-11-05]. （原始內容存檔於2017-11-07）.
- ^ "High-efficiency copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells with indium sulfide buffer layers deposited by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD)". [2017-11-05]. （原始內容存檔於2017-11-07）.
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