銻化銦
| 銻化銦 | |
|---|---|
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| 識別 | |
| CAS號 | 1312-41-0 
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| PubChem | 3468413 |
| ChemSpider | 2709929 |
| SMILES |
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| UN編號 | 1549 |
| EINECS | 215-192-3 |
| RTECS | NL1105000 |
| 性質 | |
| 化學式 | InSb |
| 摩爾質量 | 236.58 g·mol−1 |
| 外觀 | 暗灰色晶體 |
| 密度 | 5.775 g⋅cm−3 |
| 熔點 | 527 °C（800 K） |
| 能隙 | 0.17 eV eV |
| 電子遷移率 | 7.7 mC⋅s⋅g−1 (at 27 °C) |
| 熱導率 | 180 mW⋅K−1⋅cm−1 (at 27 °C) |
| 折光度n D |
4.0 |
| 結構 | |
| 晶體結構 | 立方晶系 |
| 空間群 | T2d-F-43m |
| 配位幾何 | 四面體 |
| 危險性 | |
GHS危險性符號  [1]
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| GHS提示詞 | WARNING |
| H-術語 | H302, H332, H411 |
| P-術語 | P273 |
| 相關物質 | |
| 其他陰離子 | 氮化銦 磷化銦 砷化銦 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
銻化銦（InSb）是一種由銦（In）和銻（Sb）元素組成的金屬間化合物，可由銦和銻兩種單質高溫反應製得。銻化銦是一種半導體材料，廣泛應用於紅外探測器製備[2]、紅外線導引飛彈制導和紅外天文學等領域。銻化銦於1951年首次被發現[3]。
參考文獻[編輯]
- ^ Indium Antimonde. American Elements. [June 20, 2019]. （原始內容存檔於2021-05-07）.
- ^ 《半导体材料技术》. 張玉龍等主編 杭州：浙江科學技術出版社 2010 第150頁. （原始內容存檔於2021-04-18）.
- ^ Liu, T. S.; Peretti, E. A. Trans AIME, vol. 191, p. 791 (1951).