半导体存储器

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半导体存储器是一种用于数字数据存储英语Digital Data Storage数字电路半导体器件,例如電腦記憶體。数据會存储在集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体(MOS)存储单元[1][2][3]。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常見的随机存取存储器(RAM)中其中一個是静态RAM(SRAM),它在每个存储单元使用多个MOS晶体管,另一個是动态RAM(DRAM),每个单元使用一个MOS晶体管和一个MOS电容非易失性存储器(如EPROMEEPROM闪存)使用浮栅存储单元,每个单元由一个浮栅MOS 晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机访问的特性。 [4]

参考文献[编辑]

  1. ^ The MOS Memory Market (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. 史密森尼学会. 1997 [16 October 2019]. (原始内容 (PDF)存档于2011-06-26). 
  2. ^ MOS Memory Market Trends (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. 史密森尼学会. 1998 [16 October 2019]. (原始内容 (PDF)存档于2019-10-16). 
  3. ^ Veendrick, Harry J. M. Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs. Springer. 2017: 314–5 [2022-03-29]. ISBN 9783319475974. (原始内容存档于2022-03-29). 
  4. ^ Lin, Wen C. CRC Handbook of Digital System Design, Second Edition. CRC Press. 1990: 225 [4 January 2016]. ISBN 0849342724. (原始内容存档于27 October 2016).