短沟道效应
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| 「短沟道效应」的各地常用名稱 | |
|---|---|
| 中国大陸 | 短沟道效应 |
| 臺灣 | 短通道效應[1][2][3] |
短沟道效应（英語：short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低、载流子表面散射、速度饱和、离子化和热电子效应。[4][5]
参考文献[编辑]
- 引用
- ^ Chapter 2 奈米金氧半電晶體2.1 簡介 - Advanced Silicon .... 國立臺灣大學電機工程學系. [2015-03-02]. （原始内容存档于2015-04-02）.
- ^ 施敏 2008.
- ^ 施敏 2009.
- ^ Advanced MOSFET issues. University of Colorado. [2015-03-01]. （原始内容存档于2012-06-15）.
- ^ Brian Winstead; Umberto Ravaioli , Senior Member, IEEE. Simulation of Schottky Barrier MOSFET’s with a Coupled Quantum Injection/Monte Carlo Technique (pdf). IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 47, NO. 6,. uiuc: p.1241. JUNE 2000 （英语）.
- 書目
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- 施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(上冊). 臺灣: 國立交通大學. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. （繁體中文）
- 施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(下冊). 臺灣: 國立交通大學. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. （繁體中文）