乙酰丙酮铟
| 乙酰丙酮铟[1] | |
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| IUPAC名 (Z)-4-bis[(Z)-1-methyl-3-oxobut-1-enoxy]indiganyloxypent-3-en-2-one | |
| 识别 | |
| CAS号 | 14405-45-9  [SciFinder]
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| PubChem | 16687813 |
| SMILES |
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| 性质 | |
| 化学式 | C15H21InO6 |
| 摩尔质量 | 412.14 g·mol−1 |
| 外观 | 白色或灰白色固体 |
| 危险性 | |
| 欧盟分类 |  Xn
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| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
乙酰丙酮铟是铟的乙酰丙酮配合物，化学式为In(C5H7O2)3，或简写为In(acac)3。
用途[编辑]
乙酰丙酮铟和乙酰丙酮亚锡可以用常压化学气相沉积法制备氧化铟锡薄膜。得到的薄膜是透明的和导电的，厚度约为200 nm。[2]铜铟镓二硒化物（CIGS）也可以乙酰丙酮铟为原料制备出来。用In(acac)3和硫化氢反应，通过原子层化学气相沉积（ALCVD），可以合成薄膜CIGS太阳能电池。[3]
参考文献[编辑]
- ^ Indium acetylacetonate （页面存档备份，存于互联网档案馆） at American Elements
- ^ "Indium‐tin oxide thin films prepared by chemical vapor deposition". [2017-11-05]. （原始内容存档于2017-11-07）.
- ^ "High-efficiency copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells with indium sulfide buffer layers deposited by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD)". [2017-11-05]. （原始内容存档于2017-11-07）.
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