乙酰丙酮鎵
| 乙酰丙酮鎵 | |
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| IUPAC名 (Z)-4-bis[(Z)-1-methyl-3-oxobut-1-enoxy]gallanyloxypent-3-en-2-one | |
| 別名 | Gallium acetylacetonate |
| 識別 | |
| CAS號 | 14405-43-7 
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| PubChem | 16717626 |
| 性質 | |
| 化學式 | GaC15H21O6 |
| 外觀 | 白色固體 |
| 密度 | 1.42 g/cm3 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
乙酰丙酮鎵是一種配位化合物，化學式為Ga(C5H7O2)3，或者簡寫為Ga(acac)3。這種鎵的配合物用於含鎵材料的研究。乙酰丙酮鎵分子有D3對稱性，和其它八面體三乙酰丙酮鹽同晶。[1]
應用[編輯]
乙酰丙酮鎵和水或臭氧作為前體，用原子層外延法（ALE）可以製得氧化鎵薄膜。[2]Ga(acac)3也能用於低溫生長高純度氮化鎵納米線或納米針。[3][4]
參考文獻[編輯]
- ^ Dymock, K.; Palenik, Gus J. "Tris(acetylacetonato)gallium(III)" Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry (1974), volume 30, 1364-6.doi:10.1107/S0567740874004833
- ^ "Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy". [2018-03-11]. （原始內容存檔於2018-06-04）.
- ^ "Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires". [2018-03-11]. （原始內容存檔於2021-09-24）.
- ^ "Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor". [2018-03-11]. （原始內容存檔於2018-06-08）.
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